NTMTS1D5N08H دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
NTMTS1D5N08H
|
|
حجم فایل
|
90.408
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
7
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
onsemi NTMTS1D5N08H
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
4.2W;208W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
125nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
80V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
8220pF@40V
-
Continuous Drain Current (Id):
36A;255A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@490uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
1.5mΩ@90A,10V
-
Package:
-
-
Manufacturer:
onsemi
